DB13/T 6033-2024 半导体器件低浓度氢效应试验方法

标准编号：DB13/T 6033-2024

标准名称：半导体器件低浓度氢效应试验方法

英文名称：Test method of low concentration hydrogen effect in semiconductor devices

发布日期：2024-10-28

实施日期：2024-11-28

起草人

高东阳、席善斌、彭浩、武利会、尹丽晶、宋玉玺、裴选、高若源、王伟、任红霞

中国电子科技集团公司第十三研究所、河北北芯半导体科技有限公司、河北科技大学

本文件描述了半导体器件低浓度氢效应试验的试验方法。

本文件适用于氢气氛浓度不超过2%的半导体器件氢效应试验。其他氢气氛浓度可参照使用，当有相应的国家标准或行业标准时，以国家标准和行业标准规定为准。