GB/T 44514-2024 微机电系统（MEMS）技术 层状MEMS材料界面黏附能四点弯曲试验方法

标准编号：GB/T 44514-2024

标准名称：微机电系统（MEMS）技术 层状MEMS材料界面黏附能四点弯曲试验方法

英文名称：Micro-electromechanical systems (MEMS) technology—Four-point bending test method for interfacial adhesion energy of layered MEMS materials

发布日期：2024-09-29

实施日期：2024-09-29

起草人

王永胜、曹诗亮、刘韧、汤一、王志广、陈德勇、张鲁宇、鲁毓岚、郑冬琛、路文一、商艳龙、李帆雅、尚克军、李根梓、毛志平、孙立宁、杨旸、要彦清、张新伟、安志武、陈得民、张红旗、钱晓晨、高峰

起草单位

北京自动化控制设备研究所、中机生产力促进中心有限公司、山东中康国创先进印染技术研究院有限公司、西安交通大学、深圳市速腾聚创科技有限公司、安徽奥飞声学科技有限公司、天津新智感知科技有限公司、山东中科思尔科技有限公司、明石创新（烟台）微纳传感技术研究院有限公司、合肥美的电冰箱有限公司、北京晨晶电子有限公司、苏州大学、中国科学院空天信息创新研究院、无锡华润上华科技有限公司、航天长征火箭技术有限公司、华东电子工程研究所（中国电子科技集团公司第三十八研究所）、苏州和林微纳科技股份有限公司

适用范围

本文件描述了基于断裂力学概念的四点弯曲测量方法，利用作用在层状MEMS材料上的纯弯曲力矩，以最弱界面稳态开裂的临界弯曲力矩来测量界面黏附能。

本文件适用于在半导体基底上沉积薄膜层的MEMS器件。薄膜层总厚度宜小于支撑基底（通常是硅晶片）厚度的1/100。