T/NXCL 028-2024 半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚

标准编号:T/NXCL 028-2024

标准名称:半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚

英文名称:Synthetic quartz crucible for semiconductor grade monocrystalline silicon growth

发布日期:2024-02-06

实施日期:2024-02-06

起草人

李长苏、熊欢、何玉鹏、陈荣贵、王建军、史海贝、闫素婷、陈金莲、马万保、马荣天、王黎光、芮阳、李海波、盛旺、田宝春

起草单位

宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司、宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司、宁夏大学、宁夏高创特能源科技有限公司、宁夏旭樱新能源科技有限公司

适用范围

本文件规定了半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚的术语和定义、规格尺寸、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存等方面的内容。

本文件适用于合成石英砂(成分:二氧化硅)为内层原料,采用电弧熔融法工艺生产,应用于直拉法半导体级单晶硅生长的石英坩埚。

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