GB/T 44558-2024 III族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法

标准编号：GB/T 44558-2024

标准名称：III族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法

英文名称：Test method for dislocation imaging in III-nitride semiconductor materials—Transmission electron microscopy

发布日期：2024-09-29

实施日期：2025-04-01

起草人

曾雄辉、董晓鸣、王建峰、徐科、郭延军、陈家凡、敖松泉、唐明华、苏旭军、牛牧童、王晓丹、徐军、王新强、颜建锋、闫宝华、李艳明

起草单位

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、江苏第三代半导体研究院有限公司、北京大学、北京大学东莞光电研究院、ＴＣＬ环鑫半导体（天津）有限公司、山东浪潮华光光电子股份有限公司、苏州纳维科技有限公司、苏州科技大学、国家纳米科学中心、东莞市中镓半导体科技有限公司、苏州大学、北京国基科航第三代半导体检测技术有限公司

适用范围

本文件描述了用透射电子显微镜测试Ⅲ族氮化物半导体材料中位错成像的方法。

本文件适用于六方晶系Ⅲ族氮化物半导体的薄膜或体单晶中位错成像的测试。